半导体 [bàn dǎo tǐ]
1. 导电性能介于金属导体和绝缘体之间的物质,一般是固体(如锗、硅和某些化合物),其中杂质含量和外界条件的改变(如温度变化、受光照射等)都会使其导电性发生变化。
英[semiconductor;]
半导体 引证解释
⒈ 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质,如锗、硅以及某些化合物等。这种物质具有单向导电等特性。利用这些特性可以制造各种器件,如半导体二极管、三级管和集成电路等。
国语词典
半导体 [bàn dǎo tǐ]
⒈ 在室温下,其电阻系数介乎良导体与绝缘体之间的物质。这些物质在接近绝对零度时,若结构完整,没有杂质,则性质类似绝缘体。温度升高时,其导电性渐增。其中以电子为主要导电艇?的称为「n型」,以电洞为主要艇?的称为「p型」。利用这些物质适当的组合,可以制造整流器、检波器及电射等。而研究半导体材料的分析、性能结构、制造等化学,特称为「半导体化学」,是目前发展迅速的学科。
半导体的关联词语及解释
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万能表释义:万用表又称为复用表、多用表、三用表、繁用表等,是电力电子等部门不可缺少的测量仪表,一般以测量电压、电流和电阻为主要目的。 万用表按显示方式分为指针万用表和数字万用表。是一种多功能、多量程的测量仪表,一般万用表可测量直流电流、直流电压、交流电流、交流电压、电阻和音频电平等,有的还可以测交流电流、电容量、电感量及半导体的一些参数(如β)等。
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半导体三极管释义:又称“晶体三极管”或“晶体管”。 具有三个电极,能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的pn结,组成一个pnp(或npn)结构。中间的n区(或p区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极b、发射极e和集电极c。
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半导体二极管释义:又称“晶体二极管”。具有单向导电性的二端器件。按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。
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半导体化学释义:研究半导体材料的合成、分析、性能与结构间关系等的一门学科。广泛应用于化学、物理学以及工农业生产中。
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半导体释义:⒈导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如锗、硅以及某些化合物。杂质含量的多少会使半导体的导电性能发生显著变化。半导体和金属不同,它的电阻随温度升高而迅速减小。广泛用于电子工业等方面。⒉半导体收音机的简称。
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单晶硅释义:由硅原子构成 的单晶体。 是重要的半导体材料。
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变容二极管释义:又称“可变电抗二极管”。利用pn结结电容随反偏压增大而减小的特性制成的半导体二极管。材料多为硅或砷化镓。用于谐振电路时为电调变容二极管,用于参量放大时为参放变容二极管,在功率源中作倍频和移相用时为功率阶跃变容二极管。
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固体物理学释义:研究固体的结构及其物理性质的物理学分支学科。主要研究晶体结构、晶体中粒子的运动规律、金属、半导体、电介质、超导体、液晶等。
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外延片释义:外延是半导体工艺当中的一种。
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太阳电池释义:用半导体硅、硒等材料将太阳的光能变成电能的转换器件。具有可靠性高,寿命长,转换效率高等优点,可做人造卫星、航标灯等的电源。
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存储器释义:电子计算机中用来存储信息的装置。有内存储器和外存储器之分。根据存储媒体性质的不同,又可分半导体存储器、磁存储器和光存储器等。
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无菌抹布释义:无菌抹布适用于生物医药GMP无菌车间、食品GMP无菌车间和半导体电子光伏产业无尘室清洁、台面清洁容器清洁设备清洁、高精密实验室清洁,洁净区内抹试地面,墙面、机器以及高挡的眼镜镜面、光学仪器、电脑屏幕及汽车等清洁,可重复使用,可以121度高温蒸气灭菌。
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正向释义:半导体二极管中对于稳恒直流电具有较低电阻的方向。
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液晶覆硅释义:结合LCD与半导体CMOS制程的技术。
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激光器释义:旧称莱塞。 用来产生激光的装置。利用固体(如红宝石)、气体(如氦—氖)、半导体(如砷化镓)及其他介质中的受激辐射效应而产生激光。
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电介质释义:不导电的物质,如干燥的空气、玻璃、云母片、胶木等。在一定的条件下,有些电介质(如半导体)也可以导电。
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电荷耦合器件释义:利用少数载流子在表面层势垒中存储和转移而制成的器件。 由金属氧化物半导体电容阵列构成。有线阵和面阵两种。可作延迟线和移位寄存器,也可作模拟信号处理和存储用。在当前摄像头中几乎全部用电荷耦合器件。
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石英玻璃释义:含二氧化硅达5%以上的玻璃。热膨胀系数极低,耐高温,化学稳定性好,紫外线和红外线可以透过。可用于半导体、电光源、光导通信、激光技术和光学仪器中。
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积累层释义:半导体表面附近多数载流子浓度大大增高的一个薄层即称为积累层。
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空穴释义:⒈实心的物体或平面中的窟窿。⒉晶体中存在的孔(如半导体中的),是由于一电子在晶体粘合中离开其正常的位置所致,在许多方面与正电荷粒子是等值的。